| 型号：FQB19N10LTM | 类别：FET - 单 | 制造商：Fairchild Semiconductor |
| 封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 描述：MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK | |
详细参数
| 类别 | FET - 单 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK |
| 系列 | QFET™ |
| 制造商 | Fairchild Semiconductor |
| FET型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 100V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 19A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 100 毫欧 @ 9.5A，10V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 2V @ 250µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 18nC @ 5V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 870pF @ 25V |
| 功率_最大 | 3.75W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装 | D²PAK |
| 包装 | 带卷 (TR) |
供应商
| 深圳市华斯顿电子科技有限公司 | 朱咸华0755-83777708/83777607/82799993 |
| 深圳市金芯阳科技有限公司 | 刘生075584505750 |
| 深圳市科雨电子有限公司 | 汪小姐171-4729-1886微信同号，无线联通更快捷！171-4729-1886（微信同号） |
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